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IRF3515SPBF中文资料

IRF3515SPBF图片

IRF3515SPBF外观图

  • 大小:2748.63KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间:34 ns
  • 典型接通延迟时间:17 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:107 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:2260 pF V @ 25
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:9.65mm
  • 封装类型:D2PAK
  • 尺寸:10.67 x 9.65 x 4.83mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:200000 mW
  • 最大栅源电压:±30 V
  • 最大漏源电压:150 V
  • 最大漏源电阻值:0.045
  • 最大连续漏极电流:41 A
  • 最高工作温度:+175 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:单
  • 长度:10.67mm
  • 高度:4.83mm

IRF3515SPBF供应商

更新时间:2023-01-10 14:05:30
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