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IRF3515SPBF中文资料

IRF3515SPBF图片

IRF3515SPBF外观图

  • 大小：2748.63KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间：34 ns
  • 典型接通延迟时间：17 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：107 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：2260 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：9.65mm
  • 封装类型：D2PAK
  • 尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：200000 mW
  • 最大栅源电压：±30 V
  • 最大漏源电压：150 V
  • 最大漏源电阻值：0.045
  • 最大连续漏极电流：41 A
  • 最高工作温度：+175 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：10.67mm
  • 高度：4.83mm

IRF3515SPBF供应商

更新时间:2023-01-10 14:05:30
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IRF7456TRPBFIRLR7821IKW40N120T2IPB15N03LIRL3103STRRIRF6635TR1PBFISL58812CRZIPD60R385CPISL95831HRTZ-TIRF7389

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